Sales & Support
Vraag een offerte aan - Email
Select Language
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
中文
Huis
Producten
Ongeveer ons
Fabrieksreis
Kwaliteitscontrole
Contacteer ons
Vraag een offerte aan
Thuis ProductenIGBT Power Module

BSM25GD120DN2 zetten de Volledige de Brug1200v 35A 200W Chassis van hoogspanningsigbt op

Alle producten
Snelle Terugwinningsdiode (21)
Zenerdiode (9)
De Diode van de algemeen Doelgelijkrichter (15)
snelle omschakelingsdiode (10)
de voorbijgaande diode van de voltageafschaffing (4)
Schottky diode (22)
esd beschermingsdiode (8)
PNP NPN Transistor (29)
mosfet machtstransistor (29)
Voltageregelgever IC (27)
IGBT Power Module (16)
smd spaanderweerstand (16)
LED Light Emitting Diode (8)
SMD-Spaandercondensator (13)
algemene doel relay (17)
Kristaloscillator (8)
Ik ben online Chatten Nu
Certificaat
China G-Resource Electronics Co.,Ltd certificaten
China G-Resource Electronics Co.,Ltd certificaten

BSM25GD120DN2 zetten de Volledige de Brug1200v 35A 200W Chassis van hoogspanningsigbt op

BSM25GD120DN2 High Voltage Igbt Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount
BSM25GD120DN2 High Voltage Igbt Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount

Grote Afbeelding :  BSM25GD120DN2 zetten de Volledige de Brug1200v 35A 200W Chassis van hoogspanningsigbt op Beste prijs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Merknaam: Infineon
Modelnummer: BSM25GD120DN2
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1 stk
Prijs: negotiable
Verpakking Details: Module met Doos
Levertijd: 1-2 werkdagen
Betalingscondities: T/T, Western Union, Paypal
Levering vermogen: 20 PC 's
Contact
Gedetailleerde productomschrijving
Hoog licht:

geïsoleerde poort bipolaire transistor

,

hoogspanning igbt

Fabrikant Infineon Technologies
Reeks -
Deelstatus Niet voor Nieuwe Ontwerpen
IGBT-Type -
Configuratie Volledige Brug
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 1200V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 35A
Maximum macht - 200W
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding 800µA
Inputcapacitieve weerstand (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Input Norm
NTC-Thermistor Nr
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De chassis zetten op
Pakket/Geval Module
Het Pakket van het leveranciersapparaat Module

label:

geïsoleerde poort bipolaire transistor,

hoogspanning igbt,

hoge huidige igbt

Contactgegevens
G-Resource Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: Jenny

Tel.: 86-15818536604

Direct Stuur uw aanvraag naar ons
Ongeveer ons
Snelle Terugwinningsdiode
Voltageregelgever IC
De Diode van de algemeen Doelgelijkrichter
Contacteer ons
Mobile Site
Privacy Policy China Goed Kwaliteit Snelle Terugwinningsdiode Leverancier. © 2019 - 2021 fast-recoverydiode.com. All Rights Reserved.