Huis
Producten
Ongeveer ons
Fabrieksreis
Kwaliteitscontrole
Contacteer ons
Vraag een offerte aan
Thuis ProductenZenerdiode

De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op

De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op

Silicon Surface Mount Precision High Power Diode SOD-123 BZT52C2V4-43V
Silicon Surface Mount Precision High Power Diode SOD-123 BZT52C2V4-43V Silicon Surface Mount Precision High Power Diode SOD-123 BZT52C2V4-43V

Grote Afbeelding :  De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op Beste prijs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Maleisië/CHINA
Merknaam: NXP/LRC/FSC/ON/MCC/DIODE/VISHAY/Thinkchip
Modelnummer: BZT52C
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 100ST
Prijs: negotiable
Verpakking Details: Band & Spoel (TR)/Gesneden Band (CT)
Levertijd: 1-2 werkdagen
Betalingscondities: T/T, paypal Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 9.900.000 PCs
Gedetailleerde productomschrijving
Deelstatus: Actief Type: BAT52C10V
Nom (V): 10V Tolerantie: ±5%
Maximum macht -: 350mW ZZT (Ω): 20
ZZK (Ω): 150 Pakket: Zode-123
Hoog licht:

smd zener diode

,

hoge snelheids zener diode

Diode zode-123 van BZT52C2V4-43 smd zener de Oppervlakte van de hoge machts zener diode 350mW ±5% zet op

BZT52C10 Zode-123 10 9.4 10.6 20 150 0,2 350
BZT52C11 Zode-123 11 10.4 11.6 20 150 0,1 350
BZT52C12 Zode-123 12 11.4 12.7 25 150 0,1 350
BZT52C13 Zode-123 13 12.4 14.1 30 170 0,1 350
BZT52C15 Zode-123 15 13.8 15.6 30 200 0,1 350
BZT52C16 Zode-123 16 15.3 17.1 40 200 0,1 350
BZT52C18 Zode-123 18 16.8 19.1 45 225 0,1 350
BZT52C20 Zode-123 20 18.8 21.2 55 225 0,1 350
BZT52C22 Zode-123 22 20.8 23.3 55 250 0,1 350
BZT52C24 Zode-123 24 22.8 25.6 70 250 0,1 350
BZT52C27 Zode-123 27 25.1 28.9 80 300 0,1 350
BZT52C2V4 Zode-123 2.4 2.2 2.6 100 600 50 350
BZT52C2V7 Zode-123 2.7 2.5 2.9 95 600 20 350
BZT52C30 Zode-123 30 28 32 80 300 0,1 350
BZT52C33 Zode-123 33 31 35 80 325 0,1 350
BZT52C36 Zode-123 36 34 38 90 350 0,1 350
BZT52C39 Zode-123 39 37 41 130 350 0,1 350
BZT52C3V0 Zode-123 3 2.8 3.2 95 600 10 350
BZT52C3V3 Zode-123 3.3 3.1 3.5 95 600 5 350
BZT52C3V6 Zode-123 3.6 3.4 3.8 90 600 5 350
BZT52C3V9 Zode-123 3.9 3.7 4.1 90 600 3 350
BZT52C4V3 Zode-123 4.3 4 4.6 90 600 3 350
BZT52C4V7 Zode-123 4.7 4.4 5 80 500 3 350
BZT52C5V1 Zode-123 5.1 4.8 5.4 60 480 2 350
BZT52C5V6 Zode-123 5.6 5.2 6 40 400 1 350
BZT52C6V2 Zode-123 6.2 5.8 6.6 10 150 3 350
BZT52C6V8 Zode-123 6.8 6.4 7.2 15 80 2 350
BZT52C7V5 Zode-123 7.5 7 7.9 15 80 1 350
BZT52C8V2 Zode-123 8.2 7.7 8.7 15 80 0,7 350

De Zenerdiode is een apparaat van de siliciumhalfgeleider dat stroom om in of een voorwaartse of omgekeerde richting toelaat te stromen. De diode bestaat uit een speciale, zwaar gesmeerde die p-n verbinding, wordt ontworpen om in de omgekeerde richting te leiden wanneer een bepaald gespecificeerd voltage wordt bereikt.

De Zener-diode heeft een duidelijk omlijnd omgekeerd-analysevoltage, waarbij het begint stroom te leiden, en blijft werkend onophoudelijk op de omgekeerd-reverse-bias wijze zonder beschadigd het worden. Bovendien, blijft de voltagedaling over de diode constant over een brede waaier van voltages, een eigenschap die Zener-dioden voor gebruik in voltageregelgeving geschikt maakt.

De verrichting van de Zenerdiode

De Zener-diode werkt enkel als de normale diode wanneer in wijze forward-bias, en heeft een inschakelenvoltage van tussen 0,3 en 0,7 V. Nochtans, wanneer verbonden op de omgekeerde wijze, die in het grootste deel van zijn toepassingen gebruikelijk is, kan een kleine lekkagestroom stromen. Aangezien het omgekeerde voltage tot het vooraf bepaalde analysevoltage (Vz) stijgt, begint een stroom door de diode te vloeien. De stroom stijgt tot een maximum, dat door de reeksweerstand wordt bepaald, waarna stabiliseert het en blijft constant over een brede waaier van toegepast voltage.

 

 


Contacteer ons als u meer detail of citaat van dit punt nodig hebt. info@gr-ele.com
Pls controleert vriendelijk het onderstaande artikelnummer van zelfde reeks.

 

De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op 0De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op 1De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op 2De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op 3


De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op 4


De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op 5
De siliciumoppervlakte zet Diode zode-123 BZT52C2V4-43V van de Precisie Hoge Macht op 6

 

 

Contactgegevens
G-Resource Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: Jenny

Tel.: 86-15818536604

Direct Stuur uw aanvraag naar ons